IPS13N03LA G

Producentens produktnummer:

IPS13N03LA G

Product Overview

Producent:

Infineon Technologies

Delnummer:

IPS13N03LA G-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3

Detaljeret Beskrivelse:

N-Channel 25 V 30A (Tc) 46W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-11

Lager:

RFQ Online

12806142

Anmod om tilbud

Mængde
Minimum 1

(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer

INDSEND

IPS13N03LA G Tekniske specifikationer

Kategori

FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er

Producent

Infineon Technologies

Emballage

-

Serie

OptiMOS™

Produkt status

Obsolete

FET-type

N-Channel

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Afløb til kildespænding (Vdss)

25 V

Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C

30A (Tc)

Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.8mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

2V @ 20µA

Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs

8.3 nC @ 5 V

Vgs (maks.)

±20V

Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds

1043 pF @ 15 V

FET-funktion

-

Strømtab (maks.)

46W (Tc)

Driftstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Monteringstype

Through Hole

Pakke med leverandørenheder

PG-TO251-3-11

Pakke / etui

TO-251-3 Stub Leads, IPak

Basis produktnummer

IPS13N

Datablad og dokumenter

Datasheets

HTML datablade

IPS13N03LA G-DG

Yderligere Information

Standard pakke

1,500

Andre navne

IPS13N03LA G-DG

SP000015133

IPS13N03LAG

IPS13N03LAGX

Miljø- og eksportklassificering

Fugtfølsomhedsniveau (MSL)

3 (168 Hours)

REACH-status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterede produkter

infineon-technologies

IRFR18N15DTR

MOSFET N-CH 150V 18A DPAK

infineon-technologies

IRFH7934TR2PBF

MOSFET N-CH 30V 24A 5X6 PQFN

infineon-technologies

IRLR8726PBF

MOSFET N-CH 30V 86A DPAK

IRF7204PBF

MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO